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森田 洋右; 川上 和市郎
EIM-87-11, p.87 - 98, 1986/00
光ファイバを放射線環境下で実際に使用するには、照射による伝送損失増加について長時間照射における増失増加、及び、これをもとにした定量的な検討が必要である。本報告はGeドープ光ファイバ、及び耐放射線性の優れているとされる低OH、高OH純石英コア光ファイバについて、室温、110R/hにて1200時間(120MR)の照射を行い、「in situ」で照射損失を600~1600nm範囲で測定した。この結果、特に純石英コア光ファイバについて、従来、ほとんど研究されていなかった1300~1600nm帯の照射損失増加挙動を明らかにするとともに、得られた知見にもとづいて照射損失増加量を表わす実験式を導いた。この式の係数を求めることにより、所定環境での任意の線量および線量率における光ファイバの損失増加量を推定できると考えられた。